TC-AM系列1064nm电光强度调制器

TC-AM系列1064nm铌酸锂电光强度调制器采用先进的质子交换工艺，具有低插入损耗、高调制带宽、低半波电压等特点，主要用于空间光通信系统、脉冲发生器、量子光学等领域。

1550nm电光强度调制器

基于M-Z推挽结构的LiNbO3电光强度调制器具有较低的半波电压和稳定的物理化学特性，且器件具有较高的响应速率，针对1550nm波段设计的模拟电光强度调制器2.5G\10G\20G\40G速率可选，被广泛的应用于高速光通信系统、光调Q系统、激光锁模和光纤传感等领域。

TC-AM系列40G电光强度调制器

基于M-Z推挽结构的LiNbO3电光强度调制器具有较低的半波电压和稳定的物理化学特性，且器件具有较高的响应速率，因而被广泛的应用于高速光通信系统、光调Q系统、微波光子链路和光纤传感等领域。

TC-AM系列2000nm电光强度调制器

TC-AM系列2000nm铌酸锂电光强度调制器基于MZ结构，具有低插入损耗、高调制带宽、低半波电压等特点，带宽可达到10GHz，主要用于2µm光纤调制链路、脉冲发生器、模拟光信号调制等领域。

TC-AM-08系列850nm电光强度调制器

TC-AM系列850nm铌酸锂电光强度调制器采用先进的质子交换工艺，具有低插入损耗、高调制带宽、低半波电压等特点，主要用于空间光通信系统、铯原子时间基准、脉冲发生器、量子光学等领域。

TC-AM-15系列1550nm模拟电光强度调制器

基于M-Z推挽结构的LiNbO3电光强度调制器具有较低的半波电压和稳定的物理化学特性，且器件具有较高的响应速率，TC-AM-15系列是针对1550nm波段设计的模拟电光强度调制其，2.5G\10G\20G\40G速率可选，被广泛的应用于高速光通信系统、光调Q系统、激光锁模和光纤传感等领域。

TC-AM系列1064nm双M-Z串联强度调制器

TC-AM系列1064nm双M-Z串联强度调制器采用先进的质子交换工艺，具有低插入损耗、高调制带宽、低半波电压等特点，双MZ结构可以获得更高的开关消光比，主要用于空间光通信系统、脉冲发生器、量子光学等领域。

TC-AM-HER系列 高消光比电光强度调制器

TC-AM-HER系列高消光比电光强度调制器基于M-Z推挽结构，具有较低的半波电压和稳定的物理化学特性，采用特制工艺保证了器件具有高的DC消光比，且器件具有较高的响应速率，因而被广泛的应用于光脉冲发生器、激光雷达、光纤传感等领域。

TC-DMZM 双级强度调制器

TC-DMZM系列双级强度调制器采用高度集成级联M-Z结构，可以实现两级强度调制，获得大于50dB的开关消光比，同时具有低插入损耗、高调制带宽、低半波电压等特点，主要用于空间光通信系统、脉冲发生器、量子光学等领域。

TC-AM-13系列1310nm电光强度调制器

基于M-Z推挽结构的LiNbO3电光强度调制器具有较低的半波电压和稳定的物理化学特性，且器件具有较高的响应速率，因而被广泛的应用于光通信系统、光调Q系统、量子密钥分发和光纤传感等领域。